赫爾納供應(yīng)意大利OMAL磁傳感器RS2I 

赫爾納供應(yīng)意大利OMAL磁傳感器RS2I

赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng),意大利總部直接采購，近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗,原裝產(chǎn)品，為您提供一對一好的解決方案，貨期穩(wěn)定。

OMAL磁傳感器主要產(chǎn)品：

OMAL磁傳感器

OMAL連接器

OMAL磁傳感器產(chǎn)品型號：

RS2I

RV2I

OMAL磁傳感器產(chǎn)品特點：

外殼：PA

工作電壓：10/110V AC/DC – 10/240V AC/DC

負(fù)載：10 W 直流/8 VA 交流

開關(guān)電流：400 mA，25°C

工作溫度：-25℃/+90℃

防護(hù)等級：IP67 EN60529 (DIN 40050)

工作指示燈：黃色LED

傳感器類型：PNP

OMAL磁傳感器產(chǎn)品應(yīng)用：

OMAL磁傳感器以磁傳感器為基礎(chǔ)的各種電流傳感器被用來監(jiān)測、控制和保護(hù)這些大功率器件。霍爾電流傳感器響應(yīng)速度快，且依靠磁場和被控電路耦合，不接入主電路，因而功耗低，抗過載能力強，線性好，可靠性高，既可作為大功率器件的過流保護(hù)驅(qū)動器，又可作為反饋器件，OMAL磁傳感器成為自控環(huán)路的一個控制環(huán)節(jié)。OMAL磁傳感器的發(fā)展,處理電路集成到一個單芯片上,制成了開關(guān)電路,單片集成磁傳感器之先河。已經(jīng)出現(xiàn)了磁敏電阻電路、巨磁阻電路等許多種功能性的集成磁傳感器。

OMAL磁傳感器薄膜技術(shù)的開發(fā)產(chǎn)量大增,成本大幅度下降。 強磁合金薄膜磁敏電阻器用的是強磁合金薄膜中的磁敏電阻各向效應(yīng)。在與薄膜表面平行的磁場作用下,強磁性合金薄膜的電阻率呈現(xiàn)出的變化。用這種效應(yīng)已制成磁阻器件。OMAL磁傳感器端磁阻橋已大量用于磁編碼器中,用來檢測和控制電機的轉(zhuǎn)速。此外,還作成了磁阻磁強計、磁阻讀頭以及二維、三維磁阻器件等，它們可檢測10 - 10~10 - 2 T 的弱磁場,溫度穩(wěn)定性好, OMAL磁傳感器將成為弱磁場傳感和檢測的重要器件。間距：18毫米，橫截面：1毫米2，連接器：PA 66 + 30% FV，電壓：250V AC/300V DC，電流：16A工作電流：10A，工作溫度：-30°C / +125°C 。

OMAL磁傳感器磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數(shù)和層間材料的不同組合,可以制成不同的機制的巨磁電阻磁傳感器。OMAL磁傳感器它們呈現(xiàn)出的隨磁場而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的,各種不同成分和比例的非晶材料的采用,OMAL磁傳感器發(fā)現(xiàn)的巨磁感應(yīng)效應(yīng)和巨磁阻抗效應(yīng),比巨磁電阻的響應(yīng),可能做成磁頭,成為高密度磁盤讀頭。用非晶合金的高導(dǎo)磁率特性和可做成細(xì)絲的機械特性,將它們用于磁通門和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到改善結(jié)構(gòu)材料。OMAL磁傳感器例如,在襯底上用分子束外延技術(shù)生長,形成假晶結(jié)構(gòu),產(chǎn)生二維電子氣層,其層厚這種材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。用這種材料來制作元件。